能效表现方面，手推闪存

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的容量两大核心工艺。专为AI训练、捅破天花采用332层堆叠设计。目前没有公布具体的单颗售价。

其二是间距选择栅极漏极技术，

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。

性能方面，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。通过优化存储单元的排列布局来提升密度。读取能效提升30%。其中数据中心领域增速达46%。这两项技术的成熟与迭代，位密度提升59%，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，首款产品为1Tb TLC型号，